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EEPROM编程
编程算法的EEPROM数据存储器的步骤如下（参见“亲
编程闪存“关于命令，地址和数据加载）的详细信息：
1. A：加载命令“ 0001 0001” 。
2. C：加载地址低字节（ 00美元 - $ 3F ） 。
3. D：加载数据低字节（ 00美元 - $ FF ） 。
4. E：写入数据低字节。
读取EEPROM
该算法用于读取EEPROM存储器的步骤如下（参见“编程
闪光“命令与地址加载）的详细信息：
1. A：加载命令“ 0000 0011” 。
2. C：加载地址低字节（ 00美元 - $ 3F ） 。
3.将OE置“ 0 ” ，和BS为“0” 。 EEPROM数据字节现在可以在读取数据。
4.将OE置“ 1 ” 。
编程熔丝位
该算法编程的熔丝位如下（参见“编程
闪光“命令及数据加载）的详细信息：
1. A：加载命令“ 0100 0000” 。
2. D：加载数据低字节。位n = “ 0 ”计划和位n = “ 1 ”擦除熔丝位。
第5位= SPIEN熔丝
位0 = RCEN保险丝
第7位 - 6,4 - 1 =“1” 。这些位保留，应被编程（ “1”） 。
3.给WR提供一个
t
WLWH_PFB
宽负脉冲来执行程序;
t
WLWH_PFB
在表17中编程的熔丝位不产生任何活动被发现
在RDY / BSY引脚。
编程锁定位
该算法的编程锁定位如下（参见“编程
闪光“命令及数据加载）的详细信息：
1. A：加载命令“ 0010 0000” 。
2. D：加载数据低字节。位n = “0”节目锁定位。
位2 =锁位2
位1 =锁定位
位7 - 3， 0 = “1”。这些位保留，应被编程（ “1”） 。
3. E：写入数据低字节。
锁定位只能通过芯片擦除命令来清除。
读熔丝位和锁定
位
该算法读取熔丝位和锁定位的步骤如下（参见“编程
闪电侠“的命令加载细节）第39页：
1. A：加载命令“ 0000 0100” 。
2.将OE为“0” ，和BS为“1” 。熔丝位和锁定位的状态，现在可以读
在数据（“ 0 ”表示已编程） 。
第7位=锁定位
位6 =锁定位2
第5位= SPIEN熔丝
位0 = RCEN保险丝
3.将OE置“ 1 ” 。
观察特别是在该BS需要被设置为“1” 。
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AT90S1200
0838H–AVR–03/02
