AT89LS53
闪存编程和验证特性 - 并行模式
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
PP
I
PP
1/t
CLCL
t
AVGL
t
GHAX
t
DVGL
t
GHDX
t
EHSH
t
SHGL
t
GLGH
t
AVQV
t
ELQV
t
EHQZ
t
GHBL
t
WC
参数
编程使能电压
编程使电流
振荡器频率
地址设置到PROG低
PROG后的地址保持
数据建立到PROG低
PROG后数据保持
P2.7 （ ENABLE） HIGH到V
PP
V
PP
设置到PROG低
PROG宽度
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后，
PROG高到低BUSY
字节写周期时间
0
3
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
10
1
110
48t
CLCL
48t
CLCL
48t
CLCL
1.0
2.0
s
ms
s
s
民
11.5
最大
12.5
1.0
12
单位
V
mA
兆赫
23
0851C–MICRO–3/06
