特点
单电压，范围为3V至3.6V电源供电
3伏，只有读写操作
软件保护程序
快速读取访问时间 - 150纳秒
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
部门工作计划
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 512个扇区（ 128字/扇区）
- 内部地址和数据锁存器128字
行业的快速程序的周期时间 - 20毫秒
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
1-Megabit
（ 64K ×16 ）
3伏只
FL灰内存
AT29LV1024
描述
该AT29LV1024是3伏只在系统可编程闪存擦除和读取
只读存储器（ PEROM ） 。其1兆的内存由16组织为65,536字
位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造
提供存取时间为150 ns的只有54毫瓦的功耗。当该装置
取消选择，在CMOS待机电流小于50
A.
该器件耐力
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O15
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC顶视图
I/O13
I/O14
I/O15
CE
NC
NC
VCC
WE
NC
A15
A14
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
NC
A6
A7
A8
VSS
A9
A10
A11
NC
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
TSOP顶视图
类型1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
OE
O0
O1
O2
O3
O4
NC
O5
O6
O7
VSS
O8
O9
O10
NC
O11
O12
O13
O14
O15
CE
NC
NC
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
GND
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6
5
4
3
2
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A13
A12
A11
A10
A9
GND
NC
A8
A7
A6
A5
修订版0564A -九十八分之一十
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
OE
DC
A0
A1
A2
A3
A4
1
