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APW7063
应用信息（续）
补偿（续）
在MOSFET的损耗两部分组成：导
s
R3
=
其中：
V
OSC
V
IN
×
F
ESR
F
LC
2
×
R1
+
R2
R2
×
F
O
gm
损失和T失败者它的离子损失。对于T他上下
MOSFET ，叔，他损失了大约定
以下几点：
P
上
= I
OUT
（1 + TC） （R
DS （ ON）
） （D）+ （0.5 ）（Ⅰ
OUT
)(V
IN
)(t
sw
)F
S
2
克= 900uA / V
2.Place零F
Z
LC滤波器双磁极前
F
LC
:
F
Z
= 0.75架F
LC
计算出的C1由等式：
P
低
= I
OUT
（1 + TC） （R
DS （ ON）
)(1-D)
2
在那里我
OUT
是负载电流
TC为R的温度依赖性
DS （ ON）
F
S
为开关频率
t
sw
是开关间隔
D为占空比
请注意，这两个MOSFET的传导损耗，同时
上MOSFET包括附加过渡损失。
开关内部，T
sw
是相反的函数
转让CAPAC它ANC式C
RSS
。图7 illustrat ES T他
开关波形内部MOSFET的。
（1 + TC）一词是在对温度的依赖性在要素
中的R
DS （ ON）
并且可以从“R被提取
DS （ ON）
vs
F
Z
=0.75F
LC
20
登录（GM
R3)
C1
=
1
2
× π ×
R1
×
0.75
×
F
LC
3.将极点在半开关频率：
F
P
= 0.5xF
S
计算出的C2通过公式：
C2
=
C1
π ×
R3
×
C1
×
F
S
1
功率MOSFET的温度“曲线
.
F
P
=0.5F
S
线性稳压器的输入/输出电容的选择
输入电容是CHOS连接基于它s电压
投资评级。下负载瞬变状态时，输入电容
将暂时提供所需的瞬时电流。
补偿增益
收益
F
LC
20
登录
V
IN
? V
OSC
F
O
F
ESR
PWM &
滤波器增益
变流器
收益
1uF的陶瓷亚太地区，或将是足够的最深处
应用程序。
输出电容的线性调节器被选择
为最大限度地减少负载瞬态条件下的任何下垂。
此外，该电容器是基于其电压选择
投资评级。
线性稳压器MOSFET选择
频率
图6.转换增益&频率
MOSFET选择
的最大驱动电压由V来确定
CC.
的N沟道功率MOSFET是的选择
由R所确定
DS （ ON）
，反向传输电容
(C
RSS
）和最大列放电流requirement.The
该引脚驱动一个外部N沟道MOSFET ，
因此， T他最大imum输出电压线性的年龄
调节器是依赖于V
GS 。
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茂达电子 ORP 。
牧师A.7 - 11月2005年
16
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