位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1691页 > APTM50AM24SG > APTM50AM24SG PDF资料 > APTM50AM24SG PDF资料1第1页
APTM50AM24SG
相脚
系列&并联二极管
MOSFET功率模块
VBUS
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 24mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 150A @ T C = 25°C
应用
电机控制
开关电源
不间断电源
特点
Q1
G1
OUT
S1
Q2
G2
0/VBUS
S2
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在反向二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
高集成度
G1
S1
VBUS
0/VBUS
OUT
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
低调
符合RoHS
S2
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
www.Microsemi.com
1–6
APTM50AM24SG - 第2版
最大额定值
500
150
110
600
±30
28
1250
24
30
1300
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2006年7月
