PSD4256G6V
主闪存和辅助闪存说明
主闪存存储器被平均分为8
闪速存储器的块被写入，
or
当
闪存块被删除。输出
部门。二次闪存被划分
为“1” （就绪）时，没有写或擦除周期
成4个区不同的尺寸。 EI-的每个扇区
进行中。
疗法内存块可以被单独保护的
从编程和擦除周期。
内存操作
快闪记忆体可在一个部门逐节删除
主Flash存储器和辅助闪光
器的基础上，和编程的字的字。闪光
记忆是通过单片机总线在 - 解决
而数据扇区擦除可能会被暂停
terface 。 MCU可以访问这些回忆
从块，然后对其他部门重新读
两种方式之一：
看完之后想当然。
s
MCU可以执行一个典型的总线写或
在闪存编程或擦除周期，
读
手术
只是因为它会如果访问
状态可以上的Ready / Busy引脚输出
使用标准的总线周期RAM或ROM设备。
（ PE4 ） 。该引脚设置使用PSDsoft中。
s
MCU可以执行特定的指令
内存块选择信号
由若干写和读
操作。这涉及到写作的具体数据
该DPLD生成所有的选择信号
模式到Flash中的特殊地址
内存模块（请参阅部分标题为
内存调用嵌入算法。
“可编程逻辑器件” ，第38页） 。每一个革命制度党的部门
这些指令被概括在表29
玛丽Flash存储器选择信号（ FS0-
第27页。
FS15 ），其可含有多达3产物
条款。每个二次闪光的扇区
通常情况下， MCU可以通过读取闪存
内存有一个选择信号（ CSBOOT0-
读操作，就像它会读取DE- ROM
CSBOOT3 ），其可含有多达3产物
副。然而，闪速存储器只能被擦除
条款。有三个方面的产品为每个选择
编程和使用的具体说明。为
信号允许在给定扇区映射在differ-
例如， MCU不能写一个字节二
系统内存耳鼻喉科领域。当使用一个MCU
接连到闪存为一个会写一个字节
有独立的程序和数据空间
到RAM中。要设定一个字到Flash存储器中，
（ 80C51XA ） ，这些灵活的选择信号允许镝
MCU必须执行程序指令，则
从一个动力学内存重映射扇区
测试编程事件的状态。这台站
空间的其他前和IAP之后。该
土族测试是由一个读操作或轮询实现
SRAM块有一个选择信号（ RS0 ） 。
就绪/忙（ PE4 ） 。
就绪/忙（ PE4 ）
闪速存储器还可以通过使用特殊的读取
指令检索特定的闪存器件产生
这个信号可以被用来输出就绪/忙
形成（部门保护状态和ID ） 。
PSD的状态。输出为“0” （忙）时
26/100
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
