HY29DS322/HY29DS323
32兆位（ 4M ×8 / 2M ×16）超低压，
双行，同步读/写，闪存
主要特点
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单电源工作
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读取，编程和擦除操作
从1.8到2.2 V （ 2.0V ± 10 ％ ）
非常适合电池供电的应用
同时读/写操作
主机系统可以进行编程或擦除一个
银行同时从任何阅读
部门与零延迟其他银行
读取和写入操作之间
高性能
100 ， 110和120 ns访问时间版本
超低功耗（典型
值）
自动睡眠模式电流： 5 μA
待机模式电流： 5 μA
读取电流5mA （在5 MHz ）
编程/擦除电流：20mA
引导块部门架构与71
行业中两家银行的快速的在系统
代码更改
担保行业：一个额外的64字节扇区
可以：
工厂锁定和识别： 16个字节
供安全的，随机厂
电子序列号
客户可锁定：可以读取，编程
MED ，或擦除就像其他行业
灵活的部门架构
扇区保护允许的锁定
一个或多个扇区，以防止程序或
该部门擦除操作
临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
自动擦除算法擦除任何
部门的组合或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
每个字节的最低100,000次写循环/
字
兼容JEDEC标准
脚分布和软件兼容
单电源闪存器件
高级无意写保护
n
数据＃查询和翻转位
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n
n
n
n
提供完成软件确认
编程或擦除操作
就绪/忙＃引脚
提供硬件确认
编程或擦除操作完成
擦除挂起
暂停擦除操作，使
编程数据到或者从读取数据
在同一行的扇区
删除恢复就可以调用来
完成擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
WP ＃ / ACC输入引脚
写保护（ WP ＃ ）功能允许
两个最外层的引导硬件保护
行业，无论行业的保护状态
加速（ ACC ）功能提供
加速计划时间
快速编程和擦除时间
扇区擦除时间： 2秒典型
利用字节/字编程时间
加速功能： 10 μs的典型
节省空间的封装
48引脚TSOP和48球FBGA
套餐
逻辑图
21
A[20:0]
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14 ：0]
DQ[15]/A[-1]
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
15
产品简介
2001年5月
