LT1010
应用S我FOR ATIO
地平面是谨慎，尤其是当在高温工作
频率。
缓冲摆率可以通过供应不足降低
绕行。随着输出电流的变化远高于
百毫安/ μs的，使用两个10μF的固态钽电容
耗材是很好的做法，虽然从绕过
正到负电源就足够了。
当与一个运算放大器和大量使用
负载（电阻性或电容性） ，缓冲器可以耦合到
供给通向共同的运算放大器引起稳定性
问题总体回路和延长稳定时间。
充分的旁路，通常可以通过10μF的固体来提供
钽电容器。另外，较小的电容可以
可以使用与去耦电阻。有时运算放大器
具有更好的高频抑制的供应商之一，
所以旁路要求不那么此供应。
功耗
在许多应用中， LT1010将需要热sink-
ING 。热电阻，结到静止的空气为100℃ / W的
为TO-220封装和130 °C / W为MINIDIP
封装。循环空气，散热片或安装
封装到一个印刷电路板上会降低热
性。
在直流电路，缓冲器损耗是很容易计算的。在AC
电路，信号波形和负载的性质
确定消散。峰值功耗可能是几个
时间与平均无功负荷。它特别祁门功夫，功夫
坦驱动大负载时功耗确定
电容。
交流负载，电源的两个输出间的划分
晶体管。这减小了有效的热电阻，
结到外壳，以15 ° C / W的TO- 220封装的长
作为既不输出晶体管的峰值额定值被超过。
典型的曲线表明了峰值功耗capabili-
一个输出晶体管的关系。
过载保护
该LT1010具有两个瞬时电流限制和
热过载保护。折返电流限制有
没有被使用时，使缓冲器来驱动复杂的负载
8
U
没有限制。因为这一点，它能够电力
功耗超过了其连续评级。
通常情况下，过热保护将限制耗散
化，并防止损坏。然而，在30V以上
跨导输出晶体管，热限制
是不是足够快，以确保保护的电流限制。
热保护是有效的与整个40V
传导输出晶体管，只要负载电流
否则仅限于150mA电流。
驱动阻抗
当驱动容性负载时， LT1010喜欢被
从低源阻抗驱动的高频。
某些低功耗运算放大器（例如， LM10 ）的边际
在这方面。一些护理，可能需要避免
振荡，尤其在低温下。
超过200pF的旁路缓冲器输入将解决
问题。提高工作电流也适用。
并联运行
并行操作提供了降低输出阻抗，
更多的驱动能力，提高频率响应
在负载下。任何数量的缓冲区可以直接paral-
只要利来得作为个体的增大功耗
造成输出电阻的不匹配单元和
偏置电压被考虑。
当两个缓冲区的输入端和输出端被连接
一起，电流，
I
OUT
时，输出之间流动：
I
OUT
=
V
OS1
– V
OS2
R
OUT1
+
R
OUT2
W
U U
其中，V
OS
和R
OUT
是偏移电压和输出
各个缓冲器的阻力。
通常情况下，一个单位的负电源电流将
增加，而另一个减小，与正电源
电流保持相同。在最坏情况下（V
IN
→
V
+
)
增加待机功耗可以被假定为
I
OUT
V
T
其中V
T
是总的电源电压。
偏置电压被指定最坏的情况下在一定范围的
的电源电压，输入电压和温度。它会
1010fc
