LT1123
应用S我FOR ATIO
U
对于一些操作条件
D
也可以替换为一个
短暂。这是可能的应用中的操作
要求（输入电压和驱动电流）是在
低端和输出将不会被短路。对于R
D
= 0的
下列公式可用于计算最大
功率耗散的LT1123 。
P
D
= (V
IN
– V
BE
)(I
DRIVE
)
其中：
V
IN
=最大输入电压
V
BE
=发射器/ PNP基极电压
I
DRIVE
=所需的最大驱动电流
最高结温上升超过环境
为LT1123将等于在最坏情况下的功率
耗散乘以的热阻
装置。该装置的热阻将取决于
在设备如何安装，以及是否散热器
被使用。测量结果表明，最有效的一种
对散热的TO- 92封装的方式是通过利用
PC板迹线连接至所述封装的引线。该
下面的表列出了安装和所述的几种方法
每种方法热阻测量值。所有
测量是在静止的空气中进行。
热
阻力
单独打包................................................ ............................. 220 ° C / W
封装焊接到PCB板上，通过镀
孔只有................................................ ................................ 175 ° C / W
封装焊接铜线到PC板与1/4平方英寸
每线................................................ .................................... 145 ° C / W
封装焊接到PCB板上，通过金属化孔
板，没有多余的铜迹线，以及夹式式散热器：
THERMALLOY型2224B ............................................... ..... 160 ° C / W
爱美达型5754 ............................................... ................. 135 ° C / W
图6中的曲线可用于确定的范围内
的LT1123稳压电路的电流限制使用
MJE1123作为传输晶体管。生成的曲线
使用测试版对我
C
曲线MJE1123的。该
最小值和最大值的曲线外推
从最小和最大测试规格。
散热条件
三种组分的热特性需要
考虑;的LT1123 ，传输晶体管和R
D
.
功耗应该基于所计算
期间看到每个组件最坏的情况下
正常操作。
在LT1123最坏情况下的功耗是
驱动电流，电源电压和的值的函数
R
D
。发生最坏情况损耗为LT1123的时候
所述驱动电流等于大约二分之一的其
最大值。图7图最坏情况下的功率
消散在LT1123与
D
和V
IN
。该图
用下列公式生成：
P
D
(
V
IN
– V
BE
)
2
;R
=
4R
D
D
＆ GT ;
10
其中：
V
BE
=的PNP通的发射极/基极电压
晶体管（假定为0.6V ）
1k
0.1W
0.2W
R
D
()
100
0.3W
0.4W
0.5W
0.7W
10
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
V
IN
(V)
LT1123 F07
图中的LT1123 7.电源
8
W
U U
的最高工作结温
LT1123是125°C 。最大工作环境温
perature将等于125℃的减去最大
结温度上升高于环境。
在研发最坏情况下的功耗
D
需要
计算，使得电阻器的额定功率可以是
确定的。在电阻最坏情况下的功率将
发生时，驱动电流为最大值。图8
图表R的所需的额定功率
D
与供应
1123fb
