LT1192
电气特性
符号
V
OS
V
OS
/T
I
OS
I
B
CMRR
PSRR
A
VOL
V
OUT
I
S
I
SHDN
参数
输入失调电压
输入V
OS
漂移
输入失调电流
输入偏置电流
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压摆幅
电源电流
关断电源电流
关断引脚电流
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围0 °了C
≤
T
A
≤
70℃。 V
S
=
±5V,
5脚开路，除非另有说明。
条件
N8包装
SO- 8封装
q
q
q
q
民
LT1191C
典型值
0.4
2
0.2
±0.5
最大
3
4
1.7
±2.5
单位
mV
mV
μV/°C
A
A
dB
dB
V / MV
V / MV
V
V
CM
= - 2.5V至3.5V
V
S
=
±
2.375V至
±5V
R
L
= 1K ，V
O
=
±
3V
R
L
= 100, V
O
=
±
3V
R
L
= 1k
PIN码5在V
–
（注8）
PIN码5在V
–
q
q
q
q
q
q
q
q
68
70
90
10
±3.7
85
90
140
30
±3.9
32
1.4
20
38
2.1
mA
mA
A
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该
该设备的寿命可能受到损害。
注2 ：
散热器是必需的，以保持结点温度低于
当输出短路绝对最大值。
注3 ：
超过输入共模范围可能导致输出
反转。
注4 ：
压摆率之间测量
±1V
上的输出，以
±0.3V
输入步骤。
注5 ：
全功率带宽从转换率计算
测量：
FPBW = SR / 2πV
P
.
注6 ：
测量技术是显示在稳定时间“拿
猜测出稳定时间测量的“ EDN ， 9月19日，
1985. A
V
= –5, R
L
= 1k.
注7 ：
NTSC （ 3.58MHz的） 。对于R
L
= 1K ，差一
V
= 0.1 ％ ，差分pH = 0.01 ° 。
差异一
V
和差分pH可以减少对于A
V
< 10 。
注8 ：
看到申请停机，在高温下部分。
不要操作上面的T中的关机
J
> 125°C 。
注9 ：
在陶瓷和塑料DIP交流参数100％测试
封装器件（J和N后缀）和每一批的样品都测试
SO封装器件（S后缀） 。
可选的抵消零电路
5V
3
+
–
1
7
6
4
8
–5V
LT1192
2
输入偏移电压可通过调整
±20mV
范围内具有1K
到10k
电位器
LT1192 TA03
4
