HIN200通HIN213
模具特点
DIE尺寸：
160密耳X 140密耳
金属化：
类型：铝
厚度： 10K
±1k
衬底电位
V+
过程：
CMOS金属门
钝化：
类型：氮化物超过SILOX
氮化物厚度： 8K
二氧化硅层厚度： 7K
晶体管数量：
238
金属掩模布局
HIN211
SHD
EN
R4
IN
R4
OUT
T4
IN
T3
IN
R5
OUT
R5
IN
R3
OUT
V-
C2-
R3
IN
T4
OUT
T3
OUT
C1-
T1
OUT
T2
OUT
V+
C1+
C2+
R2
IN
R2
OUT
T2
IN
T1
IN
R1
OUT
R1
IN
GND
V
CC
8-16
