LTC4252-1/LTC4252-2
LTC4252A-1/LTC4252A-2
应用S我FOR ATIO
并消除电流尖峰的插入。大外部
栅极 - 源极电容因此，不需要为目的
补偿的C
GD
。相反，较小的值（ ≥ 10nF的）
电容C
C
是足够的。
C
还提供赔偿
为模拟电流限制回路。
门有两个比较器：低栅比较
查找< 0.5V阈值之前，初始定时或门
启动周期;高栅比较查找< 2.8V
相对于V
IN
并与排水低compara-在一起
器，在GATE启动设置PWRGD状态。
SENSE
SENSE引脚是由断路器监控（ CB ）
比较器，将模拟电流限制（ACL）的放大器和
快速电流限制（ FCL）比较。这三个的
测量相对于V SENSE的潜力
EE
。当
SENSE超过50mV时， CB比较激活
230μA定时器上拉。在为100mV （ 60mV的为LTC4252A ）
ACL的伺服放大器， MOSFET的电流，并在
200mV的，整箱比较突然拉GATE低的
尝试将MOSFET的电流受到控制。如果有任何
这些条件持续足够长的时间以定时器
负责
T
到4V （见公式3） ，所述启闭LTC4252
下来，拉GATE低。
如果SENSE引脚遇到比V的电压较大
ACL
,
该ACL放大器将在伺服门向下
尝试控制MOSFET的电流。由于GATE过
驱动器正常工作的MOSFET ，该ACL放大器
需要时间来GATE放电到的门槛
MOSFET。对于轻度过载的ACL放大器可以控制
MOSFET的电流，但在严重过载时
电流可能会过冲。在SENSE = 200mV的整箱
比较接管，快速放电GATE引脚
接近V
EE
势。整箱然后释放和ACL
放大器接管。所有的定时器运行的时间。该
整箱的效果是增加的控制的非线性响应
循环有利于减少MOSFET的电流。
由于电感效应的系统，整箱通常
overcorrects限流回路和欠压门
笋。中环（电阻R零
C
串联在
栅电容）有助于ACL放大器恢复。
18
U
短路操作
从负载侧的低阻抗电路所产生的行为
短示于图6的LTC4252 。最初，该
电流过冲V的快速电流限制水平
SENSE
=
为200mV （跟踪2） GATE引脚工作带来V
GS
下
控制（跟踪3 ） 。尖峰毛刺背板
负方向并且当电流降低到
100mV/R
S
中，背板响应由毛刺在
正方向。
定时器开始充电
T
（痕量4 ），而模拟
电流限制环路保持故障电流时为100mV / R
S
,
在这种情况下为5A （痕量2）。注意，该背板
根据负载电压（跟踪1 ）下垂。定时拉是加速
用V erated
OUT
。当C
T
达到4V ，门关闭，
PWRGD被拉至高电平时，负载电流下降到零，并在
背板戒指最多不超过100V 。相关的瞬态
与门关闭可以与一个缓冲器被控制
减少振铃和瞬变电压抑制器（如
作为二极管公司SMAT70A ）夹断大的尖峰。选择
RC的缓冲通常做实验。该
缓冲电容器的值之间，通常选择
10至100倍的MOSFET的
OSS
。该snub-的价值
BER电阻通常为3Ω到100Ω之间。
供给环因
电流过冲
–48RTN
50V/DIV
供给环因
MOSFET关闭
输出短路ONSET
SENSE
200mV/DIV
门
10V/DIV
定时器
5V/DIV
快速电流限制
模拟电流限值
闭锁
4252-1/2 F06
W
U
U
C
定时器
坡道
0.5ms/DIV
LTC4252图6.输出短路特性
425212fb
