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LTC4223-1/LTC4223-2
应用信息
R2
51Ω
AUXIN
C2
330nF
V
CC
12V
IN
W
W
12V
OUT
电流
加载
SENSE
电阻器
电力白
SO-8
电流
加载
422312 F11
图11. RC网络的V
CC
筛选
履带宽度W：
0.03"每安培
ON 1OZ铜箔
R3
12V
门
R
G
C
G
通过以
GND平面
PCB布线注意事项
为LTC4223的电路断路器的正常操作，
开尔文连接到检测电阻强烈消遣
ommended 。在PCB布局应该是平衡的，
对称，尽量减少接线错误。此外，该
为检测电阻和功率MOSFET的PCB布局
应该包括良好的热管理技术
优化器件的功耗。推荐的PCB
对于12V的电流检测电阻和功率MOSFET布局
示于图12 。
在应用中，负载电流超过10A ，宽
PCB走线建议，以减少阻力
和温度上升。建议的走线宽度为1
盎司铜箔0.03 “直流电流的每个安培到
保持PCB走线的电阻，压降和温度
上升到最低限度。注意， 1盎司的薄层电阻
铜箔是约0.5MΩ /平方，并且电压
下降是由于引线电阻加起来快于高电流
租金的应用程序。
在大多数应用中，这将是必要使用plated-
经由使从组件的电路连接
层，以电源层和接地层的内部连接至PCB 。为
1盎司铜箔电镀，一般的规则是直流电流1A
每经。请咨询您的印刷电路板制造设备的设计
有关其他镀层厚度的规则。
它放置在V是重要
CC
旁路电容C2为
尽可能V之间
CC
和GND 。瞬间
电压抑制器Z1和Z2也放置之间
电源输入端与地利用短而宽的痕迹。
设计实例
作为一个设计实例，考虑到AMC热插拔AP-
前面的图1与电源所示褶皱
要求在表2中给出。
Z1
R1
C1
1
LTC4223CGN*
2
16
15
8
电流
源
通过以
GND平面
GND
W
GND
422312 F12
*省略清晰的更多详细信息，图纸不按比例！
图12.推荐布局的功率MOSFET，感
电阻器和12V铁大门配件
该网络的第一步是选择R的适当值
SENSE
对于12V电源。计算
SENSE
值是根据
最大负载电流和为下限
断路器门限，
ΔV
SENSE （ CB ） （ MIN ）
.
R
SENSE
=
Δ
V
SENSE （ CB ） （ MIN ）
I
LOAD （MAX）
=
47.5mV
=
6m
Ω
7.4A
A
如果使用1 ％容差的假设为6MΩ检测电阻，
最小和最大的断路器跳闸电流是
计算公式如下：
表2. AMC电源要求
电源电压
12V
3.3V
AUX
最大负载
当前
7.4A
150mA
最大负载
电容
800μF
150μF
表3的MicroTCA电源要求
电源电压
12V
3.3V
AUX
最大负载
当前
7.6A
150mA
最大负载
电容
1600μF
150μF
422312f
18
