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LTC4223-1/LTC4223-2
应用信息
I
TRIP （分钟）
=
I
TRIP （MAX）中
=
Δ
V
SENSE （ CB ） （ MIN ）
R
SENSE （ MAX）
R
SENSE （ MIN ）
47.5mV
m
=
=
7.8 A
6.06m
Ω
=
52.5mV
=
8.8 A
5.94m
Ω
C
L1
12V
OUT2
P
AVG
=
2 t
收费
浪涌电流可以通过使用门限于钙
pacitance （C
G
），以便耗散在MOSFET的功耗
是完全在其安全工作区（SOA） 。对于我
门
=
10μA和C
L1
= 800μF ，我们选择C
G
= 15nF ，设置
浪涌电流为0.5A 。
I
侵入
=
C
L1
I
门
=
0.5A
C
G
C
L1
12V
OUT
=
19ms
I
侵入
Δ
V
SENSE （ CB ） （ MAX ）
为了正常工作，我
TRIP （分钟）
必须超过最大
负载电流裕量，以r
SENSE
= 6MΩ应该苏夫连接CE
对于12V电源。
第二个步骤是确定定时器电容
基于完全充电所需的时间
对辅助电源的有源电流输出负载电容
限制在不超过该故障滤波器延迟。最坏
情况下的启动时间是使用最小活性计算
电流限制值的辅助电源。
t
STUP （ AUX ）
=
C
L2
3.3V
AUX
150μF 3.3V
=
3ms
=
165mA
I
AUX （ ACL ） （ MIN ）
t
收费
=
为3毫秒的同一个2x安全余量的启动时间，该
定时器的电容的计算公式为：
C
T
=
2 t
STUP （ AUX ）
123
[
MS / μF
]
=
6ms
0.05F
123
[
MS / μF
]
这导致P
AVG
= 3W和MOSFET选择的绝
能够容忍3W为19ms 。在稳步增加
由于电力消耗在状态结温
MOSFET导通时
ΔT
= P
AVG
Z
th
其中Z
th
是热
阻抗。
在此条件下，该Si7336ADP数据表的转录
过性热阻抗图表示该结
温度2.4 ℃，用增加
thJC
= 0.8C / W
（单脉冲） 。
功率脉冲而导致的持续时间和幅度
在对12V输出短路条件是
该定时器的电容功能和LTC4223的模拟
电流限制。在短路持续时间给定为0.1μF
6 [MS / μF ] = 600μs对C
T
= 0.1μF 。最大的短期
电路电流被使用的最大模拟计算
电流限制阈值，
ΔV
SENSE （ ACL ） （ MAX ）
和最低
R
SENSE
值。
I
短（MAX）
=
Δ
V
SENSE （ ACL ） （ MAX ）
R
SENSE （ MIN ）
=
m
66mV
=
11A
5.94m
Ω
考虑到公差为定时充电速度
和电容， 0.1μF （ ± 10％）对C的值
T
应
SUF网络连接CE 。
由于计时器故障期间的充电速率超时时间
20倍的速度为12V电源相比于
在启动过程中的辅助电源，该方案确保了
外部MOSFET不会在任何输出 - 过热
短路情况。故障滤波器延迟的12V电源
由0.1μF 6给出[MS / μF ] = 600μs与12毫秒的
辅助电源。
下一个步骤是验证的热额定值
选择外部MOSFET的12V电源不EX-
在上电或输出短路超过容许。
假设MOSFET的功率消耗仅因浪涌
电流充电的负载电容，能量耗散
在上电时的MOSFET相同的存储
入负载电容器。平均功耗在
MOSFET的由下式给出：
所以最大功率耗散在MOSFET的11A
12V或132W为600μs 。该Si7336ADP数据表的转录
过性热阻抗图表明，最坏情况下的
短路期间增加的结温
条件是使用 13.2 ℃，
thJC
= 0.1 ℃/ W（单脉冲） 。
这不会导致最大结温
被超过。是Si7336ADP的SOA曲线也
检查是在此条件下安全的。
422312f
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