LTC4215
应用S我FOR ATIO
和每秒更新10次。设置控制
寄存器位A5调用的测试模式暂停数据
转换器的使注册E， F和G可以被写入
和从软件测试读取。
CON连接guring的GPIO引脚
表2列出了GPIO引脚的状态可能使用
控制寄存器位A6和A7 。在上电时，默认的
状态的GPIO引脚，当权力不高阻抗
好（ FB引脚超过1.235V更大） 。其他应用程序
为GPIO引脚都拉下时功率为好，
通用输出和通用输入。
供应瞬变
该LTC4215是专为度过电源瞬变
所造成的负载阶跃。如果有一个短路负载和
寄生电感回供给大于
0.5μH ，有机会的供给之前崩盘
有源电流限制电路，并降低了GATE引脚。
如果发生这种情况，欠电压监视器拉动门
引脚为低电平。欠压锁定电路具有2μs的滤波器
时间后， V
DD
低于2.74V 。在UV引脚的反应
2μs的时间关闭的门关闭，但建议添加
滤波器电容C
F
为了防止造成不必要的停机
通过短暂的。最终，无论是UV引脚或欠压
锁定响应控制住目前的前
供应完全崩溃。
供应瞬态保护
该LTC4215是与电源电压的损害安全
高达24V 。然而，尖峰24V以上，可能会损坏
的一部分。在短路条件下，大的改变
通过电源走线，由于目前佛罗里达州可能会导致
感应电压尖峰超出24V 。为了最大限度地减少
这样的尖峰，电源走线电感应当迷你
通过使用更广泛的痕迹或较厚的铜膜而得到优化。另外，
缓冲电路抑制了感应电压尖峰。建
缓冲使用串联一个0.1μF一个100Ω的电阻
V之间的电容
DD
和GND 。浪涌抑制器， Z1
在图1中，在输入端也能够防止损坏
电压浪涌。
P
DISS
=
U
设计实例
作为一个设计实例，采取以下特定网络阳离子：
V
IN
= 12V，我
最大
= 5A ，我
侵入
= 1A ， di / dt的
侵入
= 10A / MS ，
C
L
= 330μF ，V
紫外线（ON）的
= 10.75V, V
OV （OFF）的
= 14.0V, V
PWRGD （ UP ）
= 11.6V ，而我
2
C类地址= 1010011.这完成
设计示于图1中。
选择检测电阻，R的
S
，由过流设定
租金为25mV的阈值：
R
S
=
25mV
=
0.005
I
最大
在MOSFET的尺寸设置成处理的功率耗散能很好地协同
荷兰国际集团浪涌时，输出电容C
OUT
正在充电。
一种方法来冲击过程中确定的功耗
是基于以下原则：
能在CL =能源Q1
这将使用：
2
能在C中
L
=
1 CV
2
=
1
(
0.33mF
)(
12
)
2
2
W
U
U
或0.024焦耳。计算出它需要充电的时候
C
OUT
:
V
12V
t
CHARGEUP
=
C
L
DD
=
0.33mF
=
4ms
I
侵入
1A
消耗在MOSFET功率：
中的能量
L
=
6W
t
CHARGEUP
在SOA （安全工作区）候选曲线MOSFET导
场效应管必须进行评估，以确保热容量
包的容忍6W的4毫秒。的SOA曲线
飞兆半导体FDC653N为2A ，在12V （ 24W ）的
为10ms ，满足这一要求。
浪涌电流通过C1设定为1A ：
C1
=
C
L
I
门
I
侵入
20A
或C1
=
6.8nF
8
1A
4215fb
C1
=
0.33mF
15
