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M25P40
表25 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
加50 MHz工作频率（见
表20 ： AC特性（ 50兆赫
操作装置6级， VCC分钟= 2.7 V） ） 。
所有封装均
ECOPACK 。空白选项从下删除
电镀技术
in
表24 ：订购信息计划。
MLP封装更名为
VFQFPN ，轮廓和包装机械制图更新（见
on
第1页
和
图27 ： VFQFPN8 （ MLP8 ） 8引脚超薄细间距
四方扁平封装不含铅， 6 ×5毫米封装外形。
记
2
下面添加
图26
并注意
1
下面添加
图27
t
RES1
和T
RES2
修改
表20 ： AC特性（ 50兆赫
操作装置6级， VCC分钟= 2.7 V ） 。
读取识别（ RDID ）
补充说。职称
图27
和
表23
纠正。
中所包含的数据
表11 ，表16中
和
表19
不再
初步数据。
图3 ：总线主控与内存SPI总线上的设备
修改和
注2
补充说。
40 MHz的频率条件修改了我
CC3
in
表14 ：直流
特性（设备三级） 。
表16 ：指令周期（设备3级）
显示的初步数据。
条件改变为在所述数据保持参数
表11 ：数据
保留和耐力。
V
WI
参数的设备三级加入
表8 ：上电时序和VWI阈值。
更新的SO8封装规格（请参阅
图26
和
表22） 。
/X
过程
加入
表24 ：订购信息计划。
t
RES1
和T
RES2
参数的定时改变为与所产生的设备
在“X”的工艺技术
表19
和
表19 。
更新SO8窄封装规格（请参阅
图26
和
表22） 。
添加硬件写保护功能
在第1页。
小文的变化。
第2.7节： VCC电源电压
和
第2.8节： VSS地
补充说。
图3 ：总线主控与内存SPI总线上的设备
修改
注意2删除并说明段所取代。
上电时在指定的WIP位行为
第7节：上电和
掉电。
T
领导
加入
表9 ：绝对最大额定值
和V
IO
最大改变。
更新VFQFPN8包装规格（请参阅
表23
和
图27） 。
V
CC
电压范围为W17 2007年扩大到2.3 V至3.6 V.
表21 ： AC特性（ 33 MHz工作频率，装置6级， VCCmin
= 2.3 V）添加。
表18 ： AC哪些特点使用？
补充说。 AC特性的
40兆赫删除。
24-Oct-2005
7.0
22-Dec-2005
8.0
14-Apr-2006
9
05-Jun-2006
10
18-Dec-2006
11
25-Jan-2007
12
51/53
