位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2343页 > M25PE40VMW6G > M25PE40VMW6G PDF资料 > M25PE40VMW6G PDF资料2第26页
说明
M25PE40
6.5
写状态寄存器（ WRSR ）
写状态寄存器（ WRSR）指令允许新的值写入到状态
注册。
注意：
状态寄存器BPI和SRWD位在在仅T9HX过程。看
第6页的重要说明
了解更多详情。
之前写状态寄存器（ WRSR ）指令可以被接受，一个写使能
（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。写后使能（WREN ）
指令被译码和执行，该设备设置写使能锁存器（ WEL ） 。
写状态寄存器（ WRSR ）指令是由驱动芯片选择（S ）低输入，
其次是指令代码和串行数据输入（ D）的数据字节。
该指令序列示于
图11 。
写状态寄存器（ WRSR ）指令对B6 ， B5 ，B1和的B0无影响
状态寄存器。 B6和B5总是读为0 。
芯片选择（ S）必须驱动高之后的数据字节的第八位被锁存英寸
如果不是，不执行写入状态寄存器（ WRSR）指令。当片选
（S ）为高，自定时写状态寄存器周期（其持续时间为t
W
）是
发起。虽然写状态寄存器周期正在进行中，状态寄存器仍可能
读来检查写在制品（WIP ）位的值。写在制品（WIP ）
位为1时的自定时写状态寄存器周期，并且是0时，它被完成。
当循环完成后，写使能锁存器（ WEL ）复位。
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许用户改变的值
块保护（ BP2 ，BP1，BP0 ）位，以确定要被视为该区域的大小
只读，如在限定
表3中。
写状态寄存器（ WRSR ）指令也允许
用户设置或重置状态寄存器写禁止（ SRWD ）位按照
写保护（ W）信号（见
第6.4.4节） 。
如果写状态寄存器（ WRSR ）指令是由一个复位低电平脉冲中断时，
写状态寄存器操作的内部循环（其持续时间为t
W
）首先完成
（条件是电源电压V
CC
保持在工作范围之内） 。之后，该
器件进入复位模式（参见
表12 ：复位低脉冲后，设备状态
和
表22 ：计时后复位低脉冲） 。
图11.写状态寄存器（ WRSR ）指令序列
S
0
C
指令
状态
在注册
7
高阻抗
Q
AI02282D
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
D
6
5
4
3
2
1
0
最高位
26/60
