位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2343页 > M25PE40VMW6G > M25PE40VMW6G PDF资料 > M25PE40VMW6G PDF资料1第6页
描述
M25PE40
1
描述
该是4兆位（ 512KB × 8位）串行分页闪存通过高速访问，SPI
兼容总线。
该存储器可以一次写入或编程为1 256个字节，使用页写或
页面编程指令。页写指令包括一个集成的页擦除的
周期后跟一个页编程周期。
该存储器被组织成8个扇区被进一步分成每16分部门
（ 128次部门计） 。每个扇区包含256个页面，每个界别中含有16
页。每个页面为256字节宽。因此，整个存储器可以被看作是由
2048页，或524,288个字节。
该存储器可以一次擦除一个页面，使用页面擦除指令，一个分部门
同时，利用界别分组擦除指令，在时间方面，使用的扇区擦除
指令或者作为一个整体，使用批量擦除（ BE ）指令..
该内存可以写由硬件或软件使用挥发性混合保护
和非易失性的保护功能，这取决于应用需要。保护
粒度为64千字节（扇区的粒度） 。
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK包。
ECOPACK封装是无铅并符合RoHS标准。
ECOPACK是ST的商标。 ECOPACK规范可在这里：
www.st.com 。
重要注意事项
此数据表详细描述了设备的功能性，基于先前T7X过程
或基于当前T9HX过程。在T9HX过程递件的开始，从七月
2007.
有哪些变化？
在中T9HX过程中提供以下附加功能：
●
●
●
●
整个存储器阵列被划分为4 KB的界别分组
五个新的指令：写状态寄存器（ WRSR ） ，写入锁定寄存器（ WRLR ）
读锁定寄存器（ RDLR ） ， 4 KB的界别分组擦除（ SSE）和批量擦除（ BE ）
状态寄存器： 4位可写（ BP0 ， BP1 ， BP2 ， SRWD ）
WP输入（引脚3） ：写保护范围被扩展，视的值
BP0 ， BP1 ， BP2 ， SRWD位。在WP写保护是一样的，如果位（ BP2 ，
BP1，BP0 ）被设置为（0,0 ，1）。
更小的芯片尺寸使组装成一个SO8N封装
●
6/60
