位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2343页 > M25PE40VMW6G > M25PE40VMW6G PDF资料 > M25PE40VMW6G PDF资料1第23页
M25PE40
说明
6.3
读取识别（ RDID ）
读取识别（ RDID ）指令允许8位制造商标识为
读，接着的两个字节的设备标识。厂家鉴定
由JEDEC分配，并拥有价值20H意法半导体。装置标识
是由设备制造商分配，并且指示该存储器类型中的第一个字节
（为80h ） ，和装置的第二个字节（ 13h中）的存储器容量。
任何读识别（ RDID ）指令，而擦除或编程周期正在进行中，是
未解码的，并具有对周期正在进行中的任何效果。
该装置是通过驱动芯片选择（S ）低的第一选择。然后，将8位的指令代码
该指令被移入。这之后是24位的设备标识，存储在
存储器，被移出串行数据输出（Q），每个比特被中移出
串行时钟（ C）的下降沿。
该指令序列示于
图9
读出的识别（ RDID ）指令是由驱动芯片选择（ S）在高速终止
数据输出过程中的任何时间。
当片选（ S）被驱动为高电平时，器件进入待机电源模式。一旦
待机功率模式下，设备等待被选择的，使得它可以接收，解码和
执行指令。
表6 。
读取识别（ RDID ）数据输出序列
设备Identi科幻阳离子
制造商标识
内存类型
20h
80h
内存容量
13h
图9 。
读取识别（ RDID ）指令序列和数据输出序列
S
0
C
指令
D
制造商标识
高阻抗
Q
最高位
15 14 13
最高位
AI06809b
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
28 29 30 31
设备Identi科幻阳离子
3
2
1
0
23/60
