说明
M25PE20 ， M25PE10
6.15
注意：
批量擦除（ BE ）
批量擦除（ BE ）指令译码仅在T9HX过程（见
重要注意事项
第6页） 。
批量擦除（ BE ）指令集所有位为“1” （ FFH ） 。才可以被接受，一个写
使能（WREN ）指令必须先前已被执行死刑。之后，写使能
（ WREN ）指令被解码时，设备将写使能锁存器（ WEL ） 。
批量擦除（ BE）指令，通过驱动芯片选择（S ）低输入，后面是
在串行数据输入（ D）指令代码。芯片选择（ S）必须驱动为低电平整个
持续时间的顺序。
该指令序列示于
图22 。
芯片选择（ S）必须驱动为高电平后的指令代码第八位已
锁存，否则不执行批量擦除指令。当片选（ S）
被驱动为高电平，自定时批量擦除周期（其持续时间为t
BE
）被启动。而
批量擦除周期正在进行时，状态寄存器可以读出检查的值
写在制品（WIP ）位。自定时批量期间在制品（WIP ）位写1
擦除周期，并且是0时，它被完成。在一些未指定的时间之前的周期是
完成后，写使能锁存器（ WEL ）位复位。
任何批量擦除（ BE ）的指令，而擦除，编程或写周期正在进行中，是
拒绝，而不必在周期过程中的任何影响。批量擦除（ BE ）
如果至少有一个部门或分部门是写保护（硬件或指令被忽略
软件保护） 。
如果Reset （复位）置为低，而批量擦除（ BE ）周期正在进行中，批量擦除
周期中断和数据可能不正确擦除（见
表14 ：在设备状态
一个复位低电平脉冲） 。
上电复位将低电平时，器件进入复位模式和时间
t
RHSL
然后需要之前的设备可以重新选择由驱动芯片选择（S ）低。
在t的值
RHSL
SEE
表26 ：复位低脉冲后计时
in
第11节： DC和
AC参数。
图22.批量擦除（ BE ）的指令序列
S
0
C
指令
D
1
2
3
4
5
6
7
AI03752D
42/64
