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GS8170DW36/72C-333/300/250/200
209焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
双晚写模式，流水线阅读模式
JEDEC标准SigmaRAM
引脚和封装
1.8 V + 150 / -100 mV的核心供电
1.5 V或1.8 V CMOS接口
ZQ控制用户可选的输出驱动强度
双循环取消
突发读取和写入选项
完全一致的读取和写入管道
回波时钟输出的轨道数据输出驱动器
字节写操作（ 9位字节）
2个用户可编程的芯片使能输入
IEEE 1149.1 JTAG兼容的串行边界扫描
209焊球，有14毫米× 22毫米1毫米焊球间距的BGA封装
未来的36MB ， 72MB ， 144MB和引脚兼容
器件
18Mb
Σ
1x1Dp CMOS I / O
双晚写SigmaRAM
功能说明
200兆赫， 333兆赫
1.8 V V
DD
1.5 V或1.8 V的I / O
SigmaRAM系列概述
GS8170DW36 / 72 SigmaRAMs是建立在遵守
在SigmaRAM引脚排列标准同步SRAM 。
他们是18874368位（ 18MB ）的SRAM 。这家宽，
非常低的电压CMOS I / O SRAM的设计，在操作
的速度，以实现经济的高性能需要
网络系统。
底部视图
209焊球，有14毫米× 22毫米BGA
1毫米凸块间距， 11× 19阵列的凹凸
因为SigmaRAMs是同步的设备，地址数据
输入和读/写控制输入端被捕获在上升
输入时钟的边沿。写周期是内部自定时
并发起在时钟输入的上升沿。此功能
消除了需要通过复杂的芯片外的写脉冲的产生
异步SRAM ，并简化了输入信号时序。
Σ
支持的RAM读取流水线利用上升沿边沿
触发输出寄存器。他们还利用双循环
取消选择（ DCD ）输出取消协议。
Σ
RAM中提供了一些配置，包括
晚写，双晚写，和双倍数据速率（ DDR ） 。
所采用的协议之间的逻辑区别
这些RAM主要涉及各种方法来写
提示和数据传输速率。该
Σ
内存
系列标准
允许用户在实现该接口协议最适合于
手头的任务。
Σ
RAM以具有高性能的CMOS实现
技术和封装在一个209焊球BGA封装。
参数简介
键快速斌规格
周期
存取时间
符号
TKHKH
TKHQV
- 333
3.0纳秒
1.6纳秒
冯： 2.04 5/2005
1/27
2002年， GSI Technology，Inc.的
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
