操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48T08 ， M48T08Y ， M48T18
M48T08/M48T18/T08Y
符号
参数
(1)
-100 / -10 （ T08Y ）
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVE1L
t
AVE2H
t
WLWH
t
E1LE1H
t
E2HE2L
t
WHAX
t
E1HAX
t
E2LAX
t
DVWH
t
DVE1H
t
DVE2L
t
WHDX
t
E1HDX
t
E2LDX
t
WLQZ
t
AVWH
t
AVE1H
t
AVE2L
t
WHQX
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能1低
地址有效到芯片使能2高
写使能脉冲宽度
芯片使能1低到芯片使能高1
芯片使能2高到芯片使能2低
写使能高到地址转换
芯片使能1高到地址转换
芯片使能低2到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高1
输入有效到芯片使能2低
写使能高到输入转换
芯片使能1高到输入转换
芯片使能低2到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高1
地址有效到芯片使能2低
写使能高到输出转换
80
80
80
10
100
0
0
0
80
80
80
10
10
10
50
50
50
5
5
5
50
130
130
130
10
最大
-150 / -15 （ T08Y ）
民
150
0
0
0
100
130
130
10
10
10
70
70
70
5
5
5
70
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.75 5.5V或4.5 5.5V （除非另有说明） 。
数据保持方式
凭有效V
CC
应用时， M48T08 / 18 / 08Y作为一个传统的单字节宽，静
内存。如果电源电压衰减时， RAM会自动掉电取消选择，写
保护自己当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的其余内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则
用户可以放心的存储器将是在写保护状态，设置在V
CC
下降时间
不大于吨以下
F
。该M48T08 / 18 / 08Y可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
那
在设备采样V时将手伸入窗口取消
CC
。因此，
建议的电源线中的去耦。
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