M48T02 ， M48T12
网络连接gure 8 。
整个温度范围晶体精度
PPM
20
小时运营
0
-20
-40
ΔF
= -0.038 PPM （T - T）
2
±
10%
0
F
C
2
T
0
= 25
°C
-80
-60
-100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
°C
AI02124
图9 。
时钟校准
正常
积极
校准
负
校准
AI00594B
3.5
V
CC
噪声及瞬变负向
I
CC
瞬变，包括那些由输出开关产生的，可产生电压
的波动，从而导致在V尖峰
CC
总线。这些瞬变的话可以减少
电容器被用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。存储在所述能量
由于产生的低电平电压尖峰或能量将旁路电容将被释放
时过冲发生吸收。 0.1μF的陶瓷旁路电容值（如图
图10第16页）
建议，以提供所需要的滤波。
除了瞬变是由正常的SRAM操作引起的，功率循环会
生成V的负电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
之多
一伏特。这些消极的尖峰可能会导致数据损坏的SRAM ，而在电池
备份模式。从这些电压尖峰来保护，建议以连接
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