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DC和AC参数
表13 。
符号
C
IN
C
OUT(3)
M48T212V
电容
参数
(1)(2)
输入电容
输入/输出电容
民
最大
10
10
单位
pF
pF
在3.3V （ M48T212V ）测量电源1.有效电容;只有采样，而不是100 ％测试。
2.在25 ° C，F = 1MHz的。
3.输出取消。
表14 。
DC特性
M48T212V
符号
参数
测试条件
(1)
民
–85
典型值
最大
±1
±1
4
10
3
2
575
800
1250
100
–0.3
2.0
0.8
V
CC
+
0.3
0.4
0.4
2.4
2.0
3.6
70
100
2.7
2.9
V
PFD
–
100mV
3.0
3.0
单位
I
LI(2)
I
LO(3)
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
BAT
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
OHB(6)
I
OU1(7)
I
OUT2
V
PFD
V
SO
V
BAT
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
电池电流OSC开
电池电流OSC开
(4)
电池电流OSC关闭
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压（漏极开路）
(5)
输出高电压
V
OH
备用电池
V
OUT
当前（活动）
V
OUT
电流（电池备份）
电源故障取消电压
备用电池切换电压
电池电压
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出打开
E = V
IH
E = V
CC
–0.2
V
CC
= 0V
950
A
A
mA
mA
mA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
mA
A
V
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 10毫安
I
OH
= -1.0mA
I
OUT2
= –1.0A
V
OUT1
＆ GT ; V
CC
–0.3
V
OUT2
＆ GT ; V
BAT
–0.3
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 3.0 3.6V （除非另有说明） 。
2. RSTIN1和RSTIN2内部上拉至V
CC
通过100KΩ电阻。 WDI内部上拉下来到V
SS
通过100kΩ的
电阻器。
3.输出取消。
4. I
BAT
（ OSC ON）=工业级温度范围 - 六年级的设备。
5.对于IRQ / FT & RST引脚（漏极开路） 。
6.空调输出（ E1
CON
- E2
CON
）只能维持在电池备份模式CMOS漏电流。更高
漏电流会降低电池寿命。
7.外部SRAM必须匹配TIMEKEEPER
监控芯片V
CC
特定连接的阳离子。
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