位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2497页 > M48T212V-85MH1E > M48T212V-85MH1E PDF资料 > M48T212V-85MH1E PDF资料1第15页
M48T212V
手术
制作的SRAM使用的最终选择。对SRAM必须设计一种方法，其中
该芯片使能输入禁用所有其它输入到SRAM中。这使得输入到
M48T212V和SRAM的是“不关心” ，一旦V
CC
低于V
PFD
（分钟）。该SRAM
还应保证数据保留下来，以V
CC
= 2.0V 。必须在芯片使能访问时间
足以满足芯片的系统需要使能输出传播延迟
包括在内。
如果SRAM包括：第二芯片使能引脚（ E2 ） ，该引脚应连接到V
OUT
.
如果数据保存寿命是系统的关键参数，它审查是重要
数据保持电流规格为特定的SRAM进行评估。大多数的SRAM
指定在3.0V数据保持电流。制造商通常指定一个典型的条件
为室温以及一个最坏的情况（通常在升高
温度） 。系统级的要求将决定选择哪一个值，以
使用。
的静态存储器的数据保持电流值可以被添加到我
BAT
的值
M48T212V确定为数据保留的总电流要求。可用
电池容量为SNAPHAT
你的选择就可以通过这个电流被划分为
确定数据保留可用的量（见
表20第33页） 。
对于使用寿命计算的进一步更详细的审查，请参阅应用笔记
AN1012.
15/35
