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M48T201Y ， M48T201V
时钟操作
3.13
V
CC
噪声及瞬变负向
I
CC
瞬变，包括那些由输出开关产生的，可产生电压
的波动，从而导致在V尖峰
CC
总线。这些瞬变的话可以减少
电容器被用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。存储在所述能量
由于产生的低电平电压尖峰或能量将旁路电容将被释放
时过冲发生吸收。 0.1μF的陶瓷旁路电容值（如图
图12）
建议，以提供所需要的滤波。
除了瞬变是由正常的SRAM操作引起的，功率循环会
生成V的负电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
之多
一伏特。这些消极的尖峰可能会导致数据损坏的SRAM ，而在电池
备份模式。从这些电压尖峰，以保护，意法半导体建议
连接从V肖特基二极管
CC
到V
SS
（阴极连接到V
CC
，阳极V
SS
).
肖特基二极管1N5817推荐用于通孔和MBRS120T3是
推荐用于表面安装。
图12.电源电压保护
VCC
VCC
0.1μF
设备
VSS
AI00605
25/35
