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M58LT128HST
M58LT128HSB
128兆位（ Mb的8 ×16 ，多银行，多层次的接口，突发）
1.8 V电源供电，安全闪存
特点
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电源电压
– V
DD
= 1.7至2.0V为编程，擦除
和阅读
– V
DDQ
= 2.7 V至3.6 V的I / O缓冲器
– V
PP
= 9 V快速程序
同步/异步读取
- 同步突发读取模式： 52兆赫
- 异步页读模式
- 随机访问： 85纳秒
同步突发读暂停
编程时间
- 2.5 μs的典型的Word程序时使用
缓冲增强工厂计划
命令
存储器组织
- 多组内存阵列： 8兆位银行
- 参数块（顶部或底部的位置）
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行，而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
块保护
- 在电保护的所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
零延迟
- 绝对的写保护与V
PP
= V
SS
安全
- 软件安全保护功能
- 64位的唯一设备号
- 2112位用户可编程OTP细胞
通用闪存接口（ CFI ）
每块10万编程/擦除周期
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BGA
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TBGA64 （ZA）
10 × 13 mm
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电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码：
M58LT128HST ： 88D6h
- 底设备代码
M58LT128HSB ： 88D7h
TBGA64包
- ECOPACK可用
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2007年12月
REV 3
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www.numonyx.com
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