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三菱的LSI
M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM ： 16M （ 1M - WORD 16位）缓存的DRAM与16K （ 1024字×16位） SRAM
初步
本文档是初步的目标规格。有些内容如有变更，恕不另行通知。
Pincon组fi guration
（ TOP VIEW ）
VCC
DQCl
DQCu
CC1#
CC0#
WE＃
CS ＃
CMD ＃
CM的＃
K
DQ0
VSS
DQ1
DQ2
VDDQ
DQ3
VSS
DQ4
VCCQ
DQ5
DQ6
VSS
DQ7
MCL
As0
As1
As2
RAS ＃
CAS ＃
DTD ＃
Ad0
Ad1
Ad2
VCC
1
2
3
4
5
6
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9
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63
62
61
60
59
58
描述
1.
该M5M4V16169DTP / RT是一个16M位DRAM缓存集成了输入
寄存器， 1,048,576字×16位的动态存储器阵列和一个1024字
由16位静态RAM阵列的高速缓存内存（块大小为8×16 ）到一个单一的
单片电路。在DRAM和数据之间的块的数据传送
传输缓冲器（ RB1 / RB2 / WB1 / WB2 ）被在一个指令周期执行的，一个
在一个常规的DRAM / SRAM高速缓存基本优点。
RAM是制造具有高性能的CMOS工艺，是理想的
大容量存储系统，其中高速，低功耗，以及
低成本是至关重要的。采用四层多晶硅工艺的组合
用硅化物和双电荷层铝布线技术，单晶体管
动态存储堆叠的电容器单元，以及一个六晶体管静态存储缓存
电池提供高密度的电路以降低成本。
2.
400万
70Pin
TSOP
II型
0.65mm
领导
沥青
57
56
55
54
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
VSS
Ad9
Ad8
Ad7
Ad11
Ad10
As9
As8
As7
As6
DQ15
VSS
DQ14
DQ13
VCCQ
DQ12
VCC
DQ11
VCCQ
DQ10
DQ9
VSS
DQ8
MCH
G#
As5
As4
As3
Ad6
Ad5
Ad4
Ad3
ADF ＃
VSS
特点
型号名称
M5M4V16169TP/RT-7
M5M4V16169TP/RT-8
M5M4V16169TP/RT-10
M5M4V16169TP/RT-15
SRAM
访问/周期
5.6ns/7ns
6.4ns/8ns
8.0ns/10ns
8.0ns/15ns
DRAM
访问/周期
49ns/70ns
56ns/80ns
60ns/90ns
75ns/120ns
动力
功耗（典型值）
DRAM ： 530
SRAM ： 860
DRAM ： 500
SRAM ： 800
DRAM ： 430
SRAM ： 660
DRAM ： 330
SRAM ： 420
封装代码： 70P3S -L
VSS
Ad9
Ad8
Ad7
Ad11
Ad10
As9
As8
As7
As6
DQ15
VSS
DQ14
DQ13
VCCQ
DQ12
VCC
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
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39
38
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36
1
2
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13
＃ 70针， 400密耳的TSOP （ II型） 0.65毫米
引线间距和23.49毫米包长度。
＃复用DRAM地址输入，可降低销
数和更高的系统密度。
＃可选择的输出操作（透明/锁定/
注册）使用set命令寄存器周期。
＃单3.3V +/- 0.3V电源。
（ 3.3V +/- 0.15V为-7部分）
＃ 2048刷新周期每64毫秒（ Ad0->Ad10 ） 。
＃可编程的突发长度（ 1,2,4,8 ）和爆裂
顺序（顺序，交错），没有延迟。
＃同步设计，精确控制
外部时钟（K） 。
＃输出保持先进的面具时钟（CMS ＃ ） 。
＃所有的输入/输出低电容和LVTTL
兼容。
＃独立的DRAM和SRAM地址输入
快速SRAM的访问。
＃页面模式的能力。
＃自动刷新功能。
＃自刷新功能。
：主时钟
K
：片选
CS ＃
： DRAM时钟面膜
CMD ＃
：行地址。频闪
RAS ＃
：列地址。频闪
CAS ＃
：数据传送方向
DTD ＃
： DRAM地址
Ad
： SRAM时钟面膜
CM的＃
CC0 ＃ ， CC1 ＃ ：控制时钟
：写使能
WE＃
： I / O控制字节
DQC （ U / L ）
： SRAM地址
As
DQ11
：输出使能
G#
VCCQ
：数据I / O
DQ
DQ10
：电源
VCC
DQ9
： DQ电源
VCCQ
VSS
：地面
VSS
DQ8
：地址获取时钟
ADF ＃
该引脚可无连接。 MCH
G#
：必须连接低
MCL
As5
：必须连接高
MCH
As4
As3
Ad6
Ad5
Ad4
Ad3
ADF ＃
VSS
400万
70Pin
TSOP
II型
0.65mm
领导
沥青
14
15
16
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21
22
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30
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33
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35
VCC
DQCl
DQCu
CC1#
CC0#
WE＃
CS ＃
CMD ＃
CM的＃
K
DQ0
VSS
DQ1
DQ2
VCCQ
DQ3
VSS
DQ4
VCCQ
DQ5
DQ6
VSS
DQ7
MCL
As0
As1
As2
RAS ＃
CAS ＃
DTD ＃
Ad0
Ad1
Ad2
VCC
封装代码： 70P3S -M
三菱电机
（ 1.0版）， 1998年7月
1
