说明
M95160, M95080
6.6
写入存储器阵列（ WRITE ）
如图
图12 ，
发送此指令到设备，芯片选择（ S）被第一从动
低。指令字节，地址字节，与所述至少一个数据字节的比特然后移
中，串行数据输入（D ） 。
该指令时，通过驱动在输入的一个字节边界芯片选择（S） - 高终止
数据。自定时写周期，通过芯片选择（S ）上升沿，触发持续了
周期T
W
（如在指定
表20 。
to
表23. ）
在其端部的进行中的写入
（ WIP ）位复位为0 。
如果是
图12 ，
该数据字节的第八位后的芯片选择（ S）被驱动为高
已被锁存在，表明该指令被用来写一个字节。如果，
虽然，芯片选择（S）继续被驱动为低电平，如图
图13 ，
的下一字节
输入数据被移位在，使得多于一个字节，从给定的地址开始
朝同一页的结束，可以写在一个单一的内部写周期。
每当一个新的数据字节被移位，内部地址的最低显著位
计数器加1。如果向设备发送的数据的字节数超过了页
边界，内部地址计数器翻转到页面的开始处，并且
以前的数据有覆盖与输入数据。这些设备中的（页面大小
是32字节） 。
该指令不被接受，并且不被执行，在下列条件下：
●
●
●
●
如果写使能锁存（ WEL）位未被设置为1（通过执行一个写使能
指令之前）
如果一个写周期正在进行中
如果该装置没有被选中，通过芯片选择（S）被驱动为高，在一个字节
边界（之后的第八位，B0，已被锁定在最后一个数据字节的）
如果被寻址的页是在由块所保护的区域保护（ BP1和BP0）
位。
图12.字节写（写）序列
S
0
C
指令
16位地址
数据字节
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
D
高阻抗
Q
15 14 13
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
AI01795D
1.根据存储器大小，如图
表7 ，
最显著的地址位无关。
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