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） XQFWLRQDO ？ GHVFULSWLRQ
该AS7C1024和AS7C31024是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（ SRAM）组织为131,072
字× 8位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
65$0
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行系统。
当CE1为高电平或CE2为低时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，该设备会消耗我
SB
力。如果总线
是静态的，那么完全待机功耗达到（我
SB1
还是我
SB2
） 。该31024L例如，保证不会超过根据标称满0.33mW
待机状态。该系列的所有器件在V将保留数据
CC
减小低至2.0V 。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入数据
在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，外部
设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE） HIGH 。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效，输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL / LVTTL兼容，并且操作是从一个单一5V电源或3.3V电源。 128Kx8和64Kx16
SRAM是还超低功耗Intelliwatt可用
tm
版本。对于Intelliwatt规格，请参阅AS7C31024LL和
分别AS7C31026LL数据表。革命引出线（ CPG ）版本128Kx8可发现为AS7C1025 ， AS7C31025 。
$ EVROXWH ？ PD [ LPXP ？ UDWLQJV
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
直流输出电流
符号
V
t
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–
–55
–10
–
最大
+7.0
1.0
+150
+85
20
单位
V
W
o
C
o
C
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对MAX-
imum条件下，其期限可能会影响其可靠性。
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CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
in
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
输出禁用
读
写
关键： X =无关，L =低，H =高
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