位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2441页 > MBRB41H100CTT4G > MBRB41H100CTT4G PDF资料 > MBRB41H100CTT4G PDF资料2第5页
MBR41H100CT ， MBRB41H100CT ， MBRB41H100CT - 1
+V
DD
I
L
10 mH的线圈
V
D
MERCURY
开关
I
D
I
L
I
D
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
BV
DUT
S
1
DUT
图10.测试电路
图11电流电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图10是用来展示控制雪崩
此设备的能力。水银开关代替
一个电子开关，以模拟在嘈杂的环境
当正在打开开关。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
http://onsemi.com
5
