RP150K
技术说明
当使用这些芯片，请考虑以下几点：
PCB布局
使V
DD
和GND线就足够了。如果他们的阻抗高，噪声拾取或运行不稳定，可能导致。
连接一个电容的电容值高达1.0μF以上为V之间的C1
DD
和GND引脚，
和尽可能接近到管脚。
设置输出电容器C2和C3进行相位补偿，尽可能地接近该IC，以及使
布线尽可能短。
相位补偿
在这些IC ，相位补偿被制成用于固定，即使在负载电流是变化的稳定运行。
为了这个目的，具有电容值高达1.0μF以上作为C2和C3与电容器连接
V的良好的频率特性和ESR （等效串联电阻）
OUT
和GND引脚，并作为
关闭尽可能的引脚。
如果您使用的是钽电容器和电容的ESR值大，输出可能会不稳定。
评估与考虑频率特性的电路。
根据电容器的大小，制造商和零件号码，偏置特性和温度
特点是不同的。评估电路与实际使用的电容器。
典型应用
IN
OUT1
C2
1
CE1
V
OUT1
RP150
系列
8
2
C1
GND
V
DD
7
3
CE2
V
OUT2
6
OUT2
C3
（外部元件）
输出电容;陶瓷类型C1，C2， C3的
1.0F
京瓷
CM05X5R105KD6AB
TDK
C1005JB0J105K
村田
GRM155B31A105KE15
6
