2SB562
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
–25
–20
–5
–1.0
–1.5
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意：
B
85至170
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
民
–25
–20
–5
—
85
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
–0.2
–0.8
350
38
最大
—
—
—
–1.0
240
–0.5
–1.0
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V，I
E
= 0
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
I
C
= –0.8 A,
I
B
= -0.08 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CE
= –2 V,
I
C
= -0.5 A（脉冲测试）
V
CB
= -10 V，I
E
= 0
F = 1 MHz的
1. 2SB562用h分组
FE
如下。
C
120至240
2
