HWS432

砷化镓DC - 6 GHz的SPDT开关

2005年9月

V4

与驱动8pF典型性能数据

电容@ + 25°C

插入损耗与频率

-0.1

-0.2

插入损耗（dB ）

绝对最大额定值

参数

RF输入功率

控制电压

工作温度

储存温度

绝对最大

+32 dBm的@ + 3V

+6V

-40 °C至+ 85°C

C

-65 ℃至+ 150 ℃

C

C

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

引脚输出（顶视图）

RFC

-0.7

GND

C

B

GND

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

12

11

10

9

8

7

隔离与频率

-10

-15

隔离度（dB ）

VC1

GND

RF1

C

B

1

2

3

4

5

6

VC2

GND

RF2

C

B

-20

-25

-30

-35

-40

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

注意：

1.隔直流电容器

B

=驱动8pF要求所有

RF端口。

在底部2裸露焊盘必须被连接到

通孔地通过。

对于开关导通路径的逻辑表

回波损耗与频率

-5

-10

回波损耗（分贝）

GND

GND

GND

VC1

0

1

VC2

1

0

RFC-RF1

插入损耗

隔离

RFC-RF2

隔离

插入损耗

-15

-20

-25

-30

-35

2.0

2.5

3.0

3.5 4.0 4.5 5.0

频率（GHz ）

5.5

6.0

' 1 ' = + 3V至+ 5V

“0”= 0V至+ 0.2V

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