PD - 96111
IRF7379QPbF
HEXFET
功率MOSFET
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先进的工艺技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
150 ° C工作温度
汽车[ Q101 ]合格
LEAD -FREE
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
30V
P沟道
-30V
6
5
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
0.045 0.090
顶视图
描述
专为汽车应用中，这些
HEXFET
功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用
在最新的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这些附加特征
汽车合格HEXFET功率MOSFET的是
150 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
利益相结合，使这种设计非常有效的
而在汽车应用中使用可靠的设备和
各种各样的其它应用。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性和双MOSFET管芯的能力使得它
理想中的各种功率应用。这种双重，表面
安装SO- 8可显着减少电路板空间，并
也可用
在磁带&卷轴。
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
SD
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
漏极至源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
30
5.8
4.6
46
2.5
0.02
± 20
5.0
-55到+ 150
-5.0
P沟道
-30
-4.3
-3.4
-34
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境？
马克斯。
50
单位
° C / W
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1
07/23/07
