X3100, X3101
图11. EEPROM页写（ EEWRITE ）操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
EEWRITE
指令
SI
字节地址
（ 2字节）
15 14 13
3
2
1
0
7
6
5
数据字节1
4
3
2
1
0
CS
145
146
147
148
149
150
1
151
0
32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47
SCK
数据字节2
SI
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
数据字节3
4
3
2
1
0
6
5
数据字节16
4
3
2
图12. EEPROM读状态（ EEREAD STAT ）操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
...
...
I
D
L
2
I
D
L
1
I
D
L
0
EEREAD STAT
指令
SI
进展非易失性EEWRITE
SO
...
如此之高在
非易失性
EEWRITE周期
SO =状态寄存器位
如果没有非易失
EEWRITE周期
26
FN8110.1
2008年1月3日
