IRFS4229PbF
2000
1000
L = 220nH
1600
ISD ，反向漏电流（ A）
每个脉冲的能量（ μJ ）
C = 0.3μF
C = 0.2μF
C = 0.1μF
100
1200
TJ = 175℃
10
800
400
1
TJ = 25°C
VGS = 0V
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
温度（℃）
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型ê
脉冲
vs.Temperature
7000
6000
5000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图8 。
典型的源漏二极管正向电压
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 26A
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
16
C，电容（pF ）
西塞
4000
3000
2000
1000
12
8
科斯
4
CRSS
0
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
100
120
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图9 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图10 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
50
1000
40
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1sec
100sec
10sec
ID ，漏电流（ A）
100
30
10
20
10
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
TJ ，结温（ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
最大漏极电流与外壳温度
图12 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
