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IRFS9N60APbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.66 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
––– ––– 0.75
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5.A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– ––– 25
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
分钟。
5.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
13
25
30
22
1400
180
7.1
1957
49
96
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 3.1A
49
I
D
= 9.2A
13
NC V
DS
= 400V
20
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 300V
–––
I
D
= 9.2A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
R
D
= 35.5Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
290
9.2
17
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态）
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
二极管的特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 9.2
展示
A
G
整体反转
––– –––
37
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.2A ，V
GS
= 0V
––– 530 800
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 9.2A
––– 3.0 4.4
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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