X9520
BL1 ， BL0 ：块锁保护位 -
（非易失性）
CS7
POR1
NV
CS6
V2OS
CS5
V3OS
CS4
BL1
NV
CS3
BL0
NV
CS2
RWEL
CS1
WEL
CS0
POR0
NV
该块锁保护位（ BL 1和BL 0 ）用于：
从正在执行某些禁止写操作
EEPROM存储器阵列的地址
抑制DCP写操作（改变“雨刮器
位置“）
EEPROM存储器被保护/锁定的区域是
通过的体BL1和BL 0位的组合来确定
写入CONSTAT寄存器。因此能够锁定
EEPROM存储器的区域中的表所示：
受保护的地址
（尺码）
无（默认）
C0H - FFH （ 64字节
)
80H - FFH （ 128个字节
)
为00h - FFH （256字节）
分区
阵锁定
无（默认）
上部1/4
上部1/2
所有
位（S ）
WEL
RWEL
V2OS
V3OS
BL1 - BL0
POR1 - POR0
描述
写使能锁存位
寄存器写使能锁存位
V2输出状态标志
V3输出状态标志
设置块锁定分区
设置上电复位时间
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
注意：标有位NV是非易失性（请参阅“控制和状态寄存器”）。
图17. CONSTAT寄存器的格式
收集平台， EEPROM阵列，以及CONSTAT寄存器，是
流产和不应答是一个数据后发出
字节。
WEL位是易失性闭锁的权力，在残疾人，
LOW （ 0 ）状态。 WEL位被使能写/套
00000010的CONSTAT寄存器。一旦启用， WEL
位仍设置为“ 1 ” ，直到它被重置为“0” （由写作
00000000至CONSTAT寄存器） ，或直到X9520
关闭电源，然后再升。
写入WEL位不会导致内部高压
写周期。因此，该装置已准备好再
后，立即停止条件在执行操作
在CONSTAT写命令序列（参见图18） 。
RWEL ：寄存器写使能锁存器（挥发性）
该RWEL位控制（ CONSTAT ）寄存器写
使X9520的状态。因此，为了写
任何的CONSTAT寄存器（除WEL）的比特，则
RWEL位必须先被置为“1” 。该RWEL位是易失性
位的权力，在残疾人，低（ “0” ）的状态。
但必须指出的是， RWEL位只能设置，一旦
WEL位首先被激活（见"CONSTAT注册
写Operation" ） 。
该RWEL位将自己复位为默认值“0”的状态下，在一个
：三例
经过一个成功的写操作的任何位
CONSTAT登记已完成（参见图18） 。
当X9520断电。
试图写入一个块锁保护的区域时
EEPROM存储器中（见"BL1 ， BL 0 ：锁座
保护位 - （非易失性） " ） 。
如果用户试图在执行写操作
EEPROM存储器的受保护区域，该操作是
中止在不改变阵列中的任何数据。
当CONSTAT寄存器的块锁定位被设置为
东西比BL 1 = 0和BL 0 = 0 ，那么“刮水器其它
华府公立学校的位置， “不能改变 - 即DCP写
操作不能进行的：
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
DCP写操作容许的
YES （默认）
NO
NO
NO
出厂默认设置，这些位是BL 1 = 0 ， BL 0 = 0 。
重要提示：的如果写保护（ WP ）引脚
X9520有效（高电平） ，则所有的非易失性写入操作
双方的EEPROM存储器和数据收集平台的抑制，
不论块锁定位设置（见"WP ：写
保护Pin" ） 。
POR1 ， POR0 ：上电复位位 - （非易失性）
施加电压至V
CC
激活上电复位电路
持有V1RO输出高电平，直到电源电压
稳定的V以上
TRIP1
阈值的一段时间，
t
PURST
（参见图30） 。
该CONSTAT的上电复位位， POR1和POR0
注册决定的T
PURST
延迟上电的时间
复位电路（见"Voltage监控Functions" ） 。这些
该CONSTAT寄存器的位是非易失性的，并且因此
电到最后写入的状态。
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FN8206.1
2006年1月3日
