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CY26049-36
绝对最大条件
电源电压（V
DD
） ........................................- 0.5 + 7.0V
直流输入电压........................................ -0.5V至V
DD
+0.5
储存温度（无冷凝） .... -55 ° C至+ 125°C
结温................................ -40 ° C至+ 125°C
数据保留@ TJ = 125°C ................................... >10年
封装功耗...................................... 350毫瓦
ESD（人体模型） MIL - STD- 883 .................... 2000V
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。
建议可牵引水晶规格
[2]
参数
F
喃
C
LNOM
R
1
R
3
/R
1
DL
F
3SEPHI
F
3SEPLO
C
0
C
0
/C
1
C
1
描述
标称晶振频率
额定负载电容
等效串联电阻（ESR ）
第三泛音模式的ESR比
基本模式ESR
晶振驱动电平
基本模式
由于采用典型的R值
1
值
比最大规格少得多
任何外部串联电阻假设
评论
并联谐振，基本模式，
AT切割
分钟。
–
–
–
3
–
400
–
–
180
14.4
典型值。
18.432
14
–
–
0.5
–
–
–
–
18
马克斯。
–
–
25
–
2
–
–200
7
250
21.6
fF
mW
PPM
PPM
pF
单位
兆赫
pF
从3 * F三次泛音分离
喃
HIGH SIDE
从3 * F三次泛音分离
喃
LOW SIDE
水晶并联电容
分流比为动态电容
水晶动态电容
推荐工作条件
参数
V
DD
T
AC
T
AI
C
负载
t
pu
t
ER （I）的
工作电压
环境温度（商业温度）
环境温度（工业级温度）
最大输出负载电容
上电时间为所有V
DD
s到到达最低
额定电压（功率坡道必须是单调）
8 kHz的输入边沿速率， 20％至80 ％的V
DD
= 3.3V
描述
分钟。
3.15
0
–40
–
0.05
0.07
典型值。
3.3
–
–
–
–
–
马克斯。
3.45
70
85
15
500
–
单位
V
°C
°C
pF
ms
V / ns的
DC电气规格
（商业温度： 0℃至70℃ ）
参数
I
OH
I
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
C
IN
I
OZ
I
DD
描述
输出高电流
输出低电流
输入高电压
输入高电压
输入高电流
输入低电平电流
输入电容
输出漏电流
电源电流
高
Z
[1]
产量
C
负载
= 15 pF的，V
DD
= 3.45V ，FS [3：0 ] = 0100
C
负载
= 15 pF的，V
DD
= 3.45V ，FS [3：0 ] = 1101
注意：
2. Ecliptek公司ECX - 5761-18.432 M和ECX - 5762-18.432 M符合这些规范。
测试条件
V
OH
= V
DD
– 0.5, V
DD
= 3.3V （源）
V
OL
= 0.5, V
DD
= 3.3V （汇）
CMOS电平
CMOS电平
V
IH
=V
DD
V
IL
=0V
分钟。
12
12
0.7
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
24
24
–
–
5
5
–
±5
–
–
马克斯。
–
–
–
0.3
10
10
7
–
45
30
单位
mA
mA
V
DD
V
DD
A
A
pF
A
mA
mA
文件编号： 38-07415牧师* C
第4 7
