PD - 91754A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 3 ）
产品概述
产品型号
IRHNB7Z60
IRHNB3Z60
IRHNB4Z60
IRHNB8Z60
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.009
0.009
0.009
0.009
I
D
75*A
75*A
75*A
75*A
IRHNB7Z60
30V的N通道
抗辐射HEXFET
技术
SMD-3
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低RDS（ON ）和低门电荷组合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
*当前是通过内部导线直径的限制
300（ 5秒）。
3.3 （典型值）
75*
75*
300
300
2.4
±20
500
75
30
0.35
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
12/18/01
