AP4410M
先进的电源
电子股份有限公司
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低导通电阻
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
D
D
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
30V
13.5mΩ
10A
I
D
SO-8
S
S
S
描述
D
D
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
G
G
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
等级
30
±
25
10
8
50
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200606032
