AP3801GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
SO-8
S
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
S
S
-30V
70mΩ
-5A
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
± 20
-5
-4
-20
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200511051-1/4
