AP3403GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
200mΩ
- 10A
描述
克
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻，非常有效和成本
效益的设备。
该TO- 252 / TO- 251封装普遍用于所有commercial-
工业应用。
G
D
S
S
TO-252(H)
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
- 30
± 20
-10
-8.6
-48
36.7
0.29
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200505031
