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HM66AQB36104/HM66AQB18204
HM66AQB9404/HM66AQB8404
36 - Mbit的QDR II SRAM
4字突发
TM
ADE - 203-1331B （ Z）
初步
修订版0.2
2003年1月14日
描述
该HM66AQB36104是1,048,576字由36位中， HM66AQB18204是2,097,152字由18位，
该HM66AQB9404是4194304字由9位，并且所述HM66AQB8404是4194304个字由8位
同步四倍数据速率静态RAM与制造采用全CMOS先进的CMOS技术的六
晶体管存储器单元。它集成了独特的同步外围电路和突发计数器。所有输入
由输入时钟对控制寄存器（ K和
K)
和锁存K上的正边缘和
K.
这些产品适合于应用程序需要同步操作，高速，低电压，
高密度，宽位配置。这些产品被包装在165引脚塑料FBGA封装。
注： QDR RAM和四倍数据速率RAM的包括产品开发的一个新的家庭
赛普拉斯半导体， IDT ，美光科技公司， NEC ，三星和日立。
初步：此设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系
离您最近的日立的销售部有关规范。
