AO4828
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4828采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4828是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4828L
是一种绿色产品订购选项。 AO4828和
AO4828L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 4.5A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 56mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 77mΩ （V
GS
= 4.5V)
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
G2
S1
D2
SOIC-8
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
60
±20
4.5
3.6
20
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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