8.记忆
64 KB闪存
- 512页的128字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 4毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 2毫秒
- 全片擦除时间： 10毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 16锁定位， 32页每一个保护16个扇区
- 保护模式，以确保对Flash内容
快速SRAM的16字节
- 全速单周期访问
8.1
8.1.1
存储器映射
内部SRAM
该AT91SAM7S64嵌入了高速16K字节的SRAM银行。复位后，直到
重映射命令执行， SRAM的访问地址为0x0020 0000后
重映射的SRAM也可用在地址0x0 。
8.1.2
内置闪存
AT91SAM7S64有64 KB的闪存一家银行。在任何时候，闪存被映射
解决×0010 0000也正是在地址0x0访问复位后的前
重映射命令。
图8-1 。
内部存储器映射
0x0000 0000
0x000F FFFF
闪重映射前
SRAM重映射后
内置闪存
1兆字节
0x0010 0000
1兆字节
0x001F FFFF
0x0020 0000
256M字节
0x002F FFFF
0x0030 0000
内部SRAM
1兆字节
未定义区域
（中止）
253兆字节
0x0FFF FFFF
14
AT91SAM7S64初步
6070B–ATARM–25-Feb-05
