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9.4
AT91SAM7S321/32
32 KB闪存的单平面
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256页的128个字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
8位锁，保护8部门32页
保护模式，以确保对Flash内容
全速单周期访问
8 KB的快速SRAM
9.5
9.5.1
存储器映射
内部SRAM
该AT91SAM7S256 / 128 /64 /三十二分之三百二十一嵌入了高速32分之64 / 16/ 8/8 KB的SRAM银行。
复位后，直到重映射命令执行， SRAM的地址访问
0×0020 0000重映射后， SRAM也可用在地址0x0 。
9.5.2
内部ROM
该AT91SAM7S系列嵌入了一个内部ROM 。该ROM包含FFPI和
SAM -BA程序。
内部ROM默认情况下不进行映射。
9.5.3
内置闪存
的256/128/64/32/32 KB的闪存的AT91SAM7S256 / 128 /64 /三十二分之三百二十一特征之一的银行。在
任何时候，闪光灯映射到地址0×0010 0000 ，也是访问地址0x0后
复位和重映射命令之前。
图9-1 。
内部存储器映射
0x0000 0000
0x000F FFFF
闪重映射前
SRAM重映射后
内置闪存
1兆字节
0x0010 0000
1兆字节
0x001F FFFF
0x0020 0000
256M字节
0x002F FFFF
0x0030 0000
内部SRAM
1兆字节
未定义区域
（中止）
253兆字节
0x0FFF FFFF
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AT91SAM7S系列摘要
6175BS–ATARM–04-Nov-05
