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HM66AEB36104/HM66AEB18204
HM66AEB9404
36兆位的DDR II SRAM
4字突发
ADE - 203-1368 （ Z）
初步
修订版0.0
2003年1月27日
描述
该HM66AEB36104是1,048,576字由36位中， HM66AEB18204是2,097,152字由18位，
而HM66AEB9404是一个制作4,194,304字由9位同步双数据速率静态RAM
用先进的CMOS技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。它集成了独特的
同步外围电路和脉冲串计数器。由输入时钟对控制所有输入寄存器
（K和
K)
和锁存K上的正边缘和
K.
这些产品适合于应用
需要同步操作，高速，低电压，高密度和宽的位配置。
这些产品被包装在165引脚塑料FBGA封装。
初步：此设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系
离您最近的日立的销售部有关规范。
