Z2SMB1 ... Z2SMB200 （ 2 W ）

Z2SMB1 ... Z2SMB200 （ 2 W ）

表面贴装硅稳压二极管（非平面技术）

Flchendiffundierte硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage

版本2006-07-04

5.4

± 0.2

± 0.5

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

2.1

2W

1...200 V

SMB

DO- 214AA

0.1 g

2.2

标称Z-电压

Nominale Z- Spannung

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.1

± 0.1

3.7

TYPE

典型值

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

+ 0.1

5

± 0.5

尺寸 - 集体[MM ]

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen

Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒

Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

热阻结到终端

Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并

23

2

Grenz- UND Kennwerte

T

A

= 50°C

T

A

= 25°C

P

合计

P

ZSM

T

j

T

S

R

THA

R

THT

2 W

1

)

40 W

-50...+150°C

-50...+175°C

< 60 K / W

1

)

＆ LT ; 15 K / W

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

2

3

安装在P.C。板与50毫米

2

铜焊盘中的每一个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen

该Z2SMB1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。

阴极，由一个白色带表示，具有被连接到负极。

死在Durchlass betriebene硅二极管Z2SMB1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数

“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT weiem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1